原標(biāo)題：產(chǎn)量將快速增加！西部數(shù)據(jù)開(kāi)始試產(chǎn)112層3D NAND，下半年量產(chǎn)1.33Tb容量 來(lái)源：閃存市場(chǎng)

西部數(shù)據(jù)宣布已經(jīng)與合作伙伴鎧俠成功研發(fā)出第五代3D NAND技術(shù)BiCS5，采用112層堆疊，鞏固其在業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位。BiCS5架構(gòu)主要基于TLC和QLC技術(shù)，使產(chǎn)品在成本更優(yōu)化的前提下，擁有更出色的容量，性能和可靠性。

BiCS5單顆Die容量可達(dá)1.33Tb，將在2020年下半年大規(guī)模生產(chǎn)

西部數(shù)據(jù)稱(chēng)，目前已經(jīng)開(kāi)始初步生產(chǎn)容量為512Gb的BiCS5 TLC產(chǎn)品，且基于該新技術(shù)的消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始發(fā)售。預(yù)計(jì)到2020年下半年，BiCS5技術(shù)產(chǎn)品將大規(guī)模生產(chǎn)，屆時(shí)將會(huì)推出一系列基于TLC、QLC技術(shù)的不同容量產(chǎn)品，其中單顆Die容量可達(dá)1.33Tb。

西部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)和制造高級(jí)副總裁Steve Paak博士表示，“我們已經(jīng)進(jìn)入到下一個(gè)十年發(fā)展，一種新的3D NAND縮放方法對(duì)于繼續(xù)滿(mǎn)足不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)量和數(shù)據(jù)速率的需求至關(guān)重要。BiCS5技術(shù)的成功量產(chǎn)體現(xiàn)了我們?cè)陂W存技術(shù)上的領(lǐng)先地位和我們對(duì)roadmap的強(qiáng)大執(zhí)行力。通過(guò)不斷投入技術(shù)研發(fā)，在橫向增加存儲(chǔ)密度的同時(shí)也增加存儲(chǔ)層數(shù)，產(chǎn)品的可靠性和成本不斷優(yōu)化的同時(shí)，3D NAND容量和性能也大大提高?！?/p>

圖片來(lái)源：西部數(shù)據(jù)

西部數(shù)據(jù)表示，BiCS5技術(shù)將在位于日本四日市和巖手縣北上市的與鎧俠的合資Fab工廠(chǎng)生產(chǎn)。BiCS5技術(shù)將全面用于以數(shù)據(jù)為中心的個(gè)人電子產(chǎn)品，智能手機(jī)，IoT設(shè)備和數(shù)據(jù)中心等西部數(shù)據(jù)全套存儲(chǔ)產(chǎn)品系列。

存儲(chǔ)技術(shù)迭代不休止，滿(mǎn)足不斷增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求

在競(jìng)爭(zhēng)激烈的存儲(chǔ)市場(chǎng)中，技術(shù)進(jìn)步是推動(dòng)企業(yè)發(fā)展的根本動(dòng)力。BiCS5是西部數(shù)據(jù)目前密度最高的3D NAND技術(shù)，顯著提高了存儲(chǔ)晶圓的單元陣列密度，這些“橫向”密度擴(kuò)展與112層垂直存儲(chǔ)堆疊相結(jié)合，使BiCS5與西部數(shù)據(jù)的96層BiCS4技術(shù)相比，每個(gè)晶圓的存儲(chǔ)容量提高了40％以上，I/O性能提升了50%，同時(shí)成本也得到了優(yōu)化。

三星于2019年8月宣布推出100+層單棧的第六代V-NAND。第六代V-NAND利用獨(dú)特的“通道孔蝕刻”技術(shù)，在之前的9x層堆疊結(jié)構(gòu)上增加了大約40%，然后從上到下垂直穿透圓柱形孔，創(chuàng)建統(tǒng)一的三維電荷捕捉型存儲(chǔ)單元來(lái)實(shí)現(xiàn)的。

三星V-NAND批量生產(chǎn)時(shí)間表

無(wú)論是三星的V-NAND技術(shù)還是西部數(shù)據(jù)與鎧俠的BICS技術(shù)均是基于電荷捕捉型存儲(chǔ)技術(shù)，此外，SK海力士也是電荷捕捉型存儲(chǔ)技術(shù)的踐行者，其最新發(fā)布的128層4D閃存也將于2020年實(shí)現(xiàn)在5G手機(jī)、PC、企業(yè)級(jí)市場(chǎng)的商用。

除電荷捕捉型存儲(chǔ)技術(shù)之外，存儲(chǔ)市場(chǎng)量產(chǎn)的主流存儲(chǔ)技術(shù)還有浮動(dòng)?xùn)艠O存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，代表廠(chǎng)商為美光和英特爾，它與常規(guī)MOSFE最主要的區(qū)別在于柵極和溝道之間具有額外的電絕緣浮柵。該結(jié)構(gòu)非易失性存儲(chǔ)原理為在去除電壓后，到達(dá)電隔離的浮柵層將被捕獲。

圖片來(lái)源：中國(guó)閃存市場(chǎng)

然而，2018年7月，美光和英特爾由于在3D NAND上技術(shù)路線(xiàn)的不同，宣布分手，其原因就在于美光決定放棄浮動(dòng)?xùn)艠O結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)向電荷捕捉型結(jié)構(gòu)。

隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，進(jìn)展順利，成為目前國(guó)內(nèi)唯一量產(chǎn)成功并導(dǎo)入客戶(hù)群的存儲(chǔ)原廠(chǎng)。Xtacking技術(shù)也獲得合作伙伴的一致好評(píng)。Xtacking是業(yè)界推出的全新閃存架構(gòu)，將邏輯控制單元和存儲(chǔ)單元分別進(jìn)行研發(fā)和制造，最后到晶圓生產(chǎn)的時(shí)候疊加到一起。

隨著3D技術(shù)堆疊層數(shù)的增加，以及QLC開(kāi)始慢慢商用，3D NAND單顆Die容量正在向1Tb普及化量產(chǎn)，可以預(yù)見(jiàn)每GB成本的快速下降，對(duì)閃存產(chǎn)品的普及，尤其在數(shù)據(jù)中心、企業(yè)級(jí)市場(chǎng)的擴(kuò)展將有重大意義。