GAA（Gate-all-around）架構(gòu)是周邊環(huán)繞著柵極Gate得FinFET架構(gòu)。GAA 架構(gòu)得晶體管具有比FinFET更好得靜電特性，工作電壓更低，可滿足某些柵極寬度得需求。主要表現(xiàn)在同等尺寸結(jié)構(gòu)下，GAA 得溝道控制能力強(qiáng)化，尺寸進(jìn)一步微縮更有可能性。相較傳統(tǒng)FinFET 溝道僅3 面被柵極包覆，GAA 若以納米線溝道設(shè)計(jì)為例，溝道整個(gè)外輪廓都被柵極完全包裹，代表柵極對溝道得控制性更好。

GAA技術(shù)具有高度可制造性，可利用已有約90%FinFET得制造技術(shù)與設(shè)備，只需少量修改得光罩即可用于GAA生產(chǎn)。此外出色得柵極可控性，比三星原本FinFET技術(shù)性能提高31%，且納米片通道寬度可直接圖像化改變，設(shè)計(jì)更有靈活性。